产品说明：

PT是为控制N沟道MOSFETs而设计的三相Gate驱动IC。芯片内部有3个半桥，共驱动6个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部采用交越控制方法来保护功率MOSFETs。

PT采用BCD工艺设计，应用线路较简单，只需要提供一个VM=4.5~32V电源电压及几个的外部元件即可。

产品特征:

1.采用BCD制程，低功耗

2.驱动3个半桥门电路

3.宽电源电压范围：

-VM：4.5V~32V?

4.工作温度范围：-30°C到+85°C

5.内置电荷泵

6.内置保护电路：

-防止串通保护

-欠压保护(UVLO)

-超温保护(TSD)

产品应用:

1.三相无感/霍尔控制无刷直流风扇电机

2.三相无刷直流电机